AA)替代国外模块型号ZX5WSMNBK双反星并联带平衡电抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A31***MTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英达PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英达PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160A/400VMITSUBITM150SZ-M;英达PFT1503NMTG300A/800VMTG(AA)200A/400VSanRexPWB200AA;MITSUBITM200SZ-M英达PFT2003N;注:上表中MTG型为普通压降模块;MTG(AA)为低电压低导通压降型模块。l焊机用模块电流和电压计算:我公司MTG、MTG(AA)焊机专用模块可以使用在很多不同型号规格的焊机中,如ZX5普通焊机;WSM直流氩弧焊机;NBKCO2气体保护焊机。这些焊机目前都采用流行的双反星并联带平衡电抗器主回路形式,如下图:(双反星并联带平衡电抗器主回路)?该线路相当于正极性和反极性两组三相半波整流电路并联。每只晶闸管的比较大导通角为120?,负载电流Id同时由两个晶闸管和两个变压器绕组供给,每只管子承担1/6的Id,任何瞬时,正,负极性组均有一支电路导通工作。?该线路提高了变压器利用率。正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。上海稳流稳压模块配件
即俗称底板是否带电。绝缘型的模块多用在交流焊机中,如应用于点焊、电阻焊机中的晶闸管模块MTX系列;应用于CO2气体保护焊机、WSM普通焊机等MTG系列模块。各焊机应用晶闸管模块在下表中简述:整机种类使用模块常见主回路形式电路特点S可控硅直流氩弧焊机MFG单相全波整流CO2气保焊机MDG双反星并联(带平衡电抗器)CO2气保焊机MTG双反星并联(带平衡电抗器)逆变焊机变频器MDCMDQMDS单相或三相整流桥点焊机MTXMTC电子开关三、CO2焊机专用晶闸管MTG模块:l模块内部电路图:l焊机专用MTG模块特点简介:?MTG模块是由三只共阳极晶闸管封装在一起的模块化结构组件。模块内管芯参数针对焊机特点专门设计,额定结温高、通态压降低、通流和过载能力强动态性能的一致性好、耐疲劳性强,免除螺栓式晶闸管装机前参数挑选和配对的难题,提高工效。?焊机目前正朝模块化方向发展,而且由于装配,调试,维修简单;整机装置美观大方等优点;能明显地提升焊机品位,因此模块应用会越来越。l适用焊机典型主回路形式:适用于双反星并联带平衡电抗器电路l焊机额定输出电流对模块的选择:见下表焊机型号适用主回路焊机额定输出电流MTGMTG。上海稳流稳压模块配件正高电气以更积极的态度,更新、更好的产品,更优质的服务,迎接挑战。
晶闸管模块的散热方法
晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了***器件的长期可靠运行,散热器及其冷却方式的选择与功率半导体模块设计中电流、电压额定值的选择同等重要,不容忽视!散热器常用的散热方法有:自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是,控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。
选择晶闸管模块散热器必须考虑的元素:
1、晶闸管模块的工作电流决定了所需的冷却面积。
2、晶闸管模块的使用环境。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式,包括自然冷却、强制风冷和水冷。
3、设备的形状和体积,为散热预留空间的大小,根据这种情况来确定散热器的形状。
晶闸管模块的工作原理
在晶闸管模块T的工作过程中,晶闸管模块的阳极A和阴极K与电源和负载相连,构成晶闸管模块的主电路。晶闸管模块的栅极G和阴极K与控制可控硅的装置相连,形成晶闸管模块的控制电路。
从晶闸管模块的内部分析工作过程:
晶闸管模块是一种四层三端器件。它有J1、J2和J3的三个pn结图。中间的NP可分为PNP型三极管和NPN型三极管两部分。
当晶闸管模块承载正向阳极电压时,为了制造晶闸管模块导体铜,承受反向电压的pn结J2必须失去其阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时是另一个晶体管的基极电流。因此,当有足够的栅极电流Ig流入时,两个复合晶体管电路会形成较强的正反馈,从而导致两个晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。 正高电气愿与各界朋友携手共进,共创未来!
由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,所以元件在关断过程中,正向电压下降到零时,内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使积蓄载流子迅速消失,这时反向电流消失的极快,即di/dt***。因此即使和元件串连的线路电感L很小,电感产生的感应电势L(di/dt)值仍很大,这个电势和电源电压串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压,称为关断过电压,其数值可达工作电压峰值的5~6倍,所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮,电阻防止电容和电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗和电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压,有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子,即引线要短。比较好采用无感电阻,以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。(2)压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压(V1mA),是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择,主要考虑额定电压和通流容量。正高电气与广大客户携手并进,共创辉煌!上海稳流稳压模块配件
正高电气从国内外引进了一大批***的设备,实现了工程设备的现代化。上海稳流稳压模块配件
晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提***流放大系数a2。上海稳流稳压模块配件
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